工業陶瓷氮化鋁具有非常的導熱性能，所以它常被用來作陶瓷基片或者陶瓷基板，可用于一些集成電路中，下面遠達陶瓷廠會給大家介紹其粉體原料的制備工藝。

氮化鋁陶瓷具有的導熱性能，熱膨脹系數接近硅且無毒，被視為新一代電子封裝材料，非常適用于混合功率開關的封裝以及微波真空管封裝殼體材料，同時也是大規模集成電路基片的理想的材料，這也是AIN陶瓷的主要用途。

一塊高導熱氮化鋁陶瓷基片的制備工藝主要由：氮化鋁粉體制備、成型工藝和燒結工藝這三個方面有關。
氮化鋁陶瓷基板：適用于大功率LED封裝散熱基板、IGBT功率模塊以用薄膜印刷電路
一、粉體制備
氮化鋁陶瓷的優良性能與原材料粉體的性能有著直接的關系，高性能AIN粉體是制備高熱導率AIN陶瓷的關鍵。制備AIN粉體的方法有很多種（見下表1），也都存在各自的不足，但他們都有一個共同點就是成本較高。

綜合來看，氧化鋁粉碳熱還原法和鋁粉直接氮化法比較成熟，已經用于工業化大規模生產，成為當前高性能AIN陶瓷原料的主流制備工藝。目前掌握高性能AIN粉生產技術的廠家并不多，主要分布在日本、德國和美國。
這其中日本德山曹達公司采用的氧化鋁粉碳熱還原法生產的AIN粉被全球公認為質量好，性能穩定，基本占據了AIN粉市場。日本東芝，京瓷公司，住友電子等大部分基板和封裝都在使用該AIN粉。此外，美國DOW化學公司也掌握了氧化鋁粉碳熱還原法生產AIN粉技術。日本東洋鋁公司則采用成本相對較低的鋁粉直接氮化法生產AIN粉，性能也挺好，熱導率也能穩定在170W/m•K以上。優良的AIN粉及品質一般的氮化鋁粉的區別見下表分析。